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快科技2月8日讯息皇冠会员手机客户端，Intel已于日前汲取了ASML的第一台新一代高NA EUV光刻机，可是台积电一直不为所动，可能要到1nm工艺期间才会跟进。

Intel策画将高NA EUV光刻机用于Intel 18A后的制程节点，也即是跳跃1.8nm，本领或者在2026-2027年。

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Intel此前公布的道路图上，18A之后还是安排了三个新的制程节点，但尚未具体定名。

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基辛格露馅其中一个相配于1.5nm工艺，瞻望定名为15A，将在德国工场量产。

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台积电关于高NA EUV光刻机引入策画则一直守口如瓶，有多个讯息开端称台积电还在不雅望评估，现在策画要比及1nm工艺节点才会上马，而本领要比及2030年傍边了。

台积电现在正在冲刺2nm工艺，瞻望2025-2027年间量产，单芯片可集成跳跃1000亿个晶体管，单个封装可超5000亿个。

然后是1.4nm、1nm，其中后者策画2030年傍边量产，将在单颗芯片内集成跳跃2000亿个晶体管，单个封装内则跳跃1万亿个，比较N2工艺翻一倍。

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道理的是，Intel也策画在2030年作念到单个封装1万亿个晶体管，可谓舌剑唇枪。

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